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IRF6655
D.U.T
+
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
?
-
-
?
+
?
R G
? di/dt controlled by R G
? Driver same type as D.U.T.
? I SD controlled by Duty Factor "D"
V DD
+
-
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS =10V
*
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V DD
Inductor Curent
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Current
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18. Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
www.irf.com
7
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